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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-64 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 15 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| JEDEC-95代码： | TO-64 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 最大漏电流： | 1 mA | 通态非重复峰值电流： | 60 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 4700 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 7.4 A |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2619LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-64 |
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| 2N263 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-22VAR |
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| 2N2631 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39 |
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| 2N2632 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N2633 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N2634 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 |
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| 2N2635 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2639 | NJSEMI |
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DUAL NPN LOW LEVEL NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS |
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| 2N2639 | MOTOROLA |
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DUAL AMPLIFIER TRANSISTORS NPN SILICON |
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| 2N2639 | CENTRAL |
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Dual Transistors |
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