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2N2619

更新时间： 2024-01-05 23:18:36

品牌	Logo	应用领域
ASI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	276K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO-64, 2 PIN

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2N2619 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.13
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	15 mA	JEDEC-95代码：	TO-64
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	8 A
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N2619 数据手册

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与2N2619相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2619LEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-64	获取价格
2N263	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| TO-22VAR	获取价格
2N2631	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-39	获取价格
2N2632	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2633	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2634	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| STR-10	获取价格

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