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2N2325

更新时间： 2024-01-27 14:20:30

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COMSET		栅极
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3页	80K
描述
SILICON THYRISTORS

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2N2325 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N2325 数据手册

2n2322 to 2n2326

SILICON THYRISTORS

All-diffused PNPN thyristors designed for grating operation in mA/µA signal

or detection circuits

Compliance to RoHS.

MAXIMUM RATINGS (*)

T_J=125°C unless otherwise noted, R_GK=1000Ω

2N2322 2N2323 2N2324 2N2325 2N2326 Unit

Symbol

V_RRM(REP)

Ratings

Peak reverse blocking voltage

(*)

100

150

1.6

150

225

200

300

V_RSM(NON-Non-repetitive peak blocking

REP)

reverse voltage (t<5.0 ms)

Forward Current RMS (all

conduction angles)

I_T(RMS)

Peak Surge Current

(One-Half Cycle, 60Hz)

No Repetition Until Thermal

I_TSM

Equilibrium is Restored.

P_GM

Peak Gate Power – Forward

0.1

Average Gate Power -

Forward

P_G(AV)

0.01

I_GM

Peak Gate Current – Forward

Peak Gate Voltage - Forward

Peak Gate Voltage - Reverse

0.1

6.0

V_GFM

V_GRM

Operating Junction

Temperature Range

T_J

-65 to +125

-65 to +150

°C

T_STG

Storage Temperature Range

12/11/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2325A	DIGITRON	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 150; Max TMS Bridge Inp	获取价格
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2N2325A	MICROSEMI	SCRs 1.6 Amp, Planear	获取价格
2N2325AN	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 150V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN	获取价格
2N2325AS	MICROSEMI	Thyristor Switches	获取价格
2N2325LEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-39, HE	获取价格