2N2326

更新时间： 2024-11-23 22:35:51

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2N2326 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	TO-39, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间：	20 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	2 mA	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	0.1 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1600 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2326A	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N2326A	NJSEMI	获取价格	Thyristor SCR 200V 15A 3-Pin TO-5
2N2326A	CENTRAL	获取价格	1.6A,200V Through-Hole SCR
2N2326AS	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N2326ASE3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-5,
2N2326S	MICROSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N2326SE3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-5,
2N2327	DIGITRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Inp
2N2327	NJSEMI	获取价格	Thyristor SCR 250V 15A 3-Pin TO-39
2N2327	MICROSEMI	获取价格	SCRs 1.6 Amp, Planear