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2N2325LEADFREE

更新时间： 2024-11-24 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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2N2325LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-39包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.07配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1.6 A
断态重复峰值电压：150 V重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N2325LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N2325LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
2N2322 2N2326  
2N2323 2N2327  
2N2324 2N2328  
2N2325 2N2329  
Central  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2322  
Series types are hermetically sealed Silicon  
Controlled Rectifiers designed for sensing  
circuit applications and control systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
2N23__  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL 22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29 UNITS  
Peak Repetitive Forward Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
V
V
25  
25  
40  
50 100 150 200 250 300 400  
V
DRM  
RRM  
RSM  
50 100 150 200 250 300 400  
V
75 150 225 300 350 400 500  
V
I
1.6  
1.0  
A
T(RMS)  
Average On-State Current (T =85°C)  
C
I
A
T(AV)  
Peak One Cycle Surge (t=8.3ms)  
I
15  
A
TSM  
Peak Gate Power  
P
0.10  
W
W
A
GM  
Average Gate Power  
Peak Gate Current  
P
0.01  
G(AV)  
I
0.10  
GM  
Peak Gate Voltage  
V
6.0  
V
GM  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
Rated V , V  
MIN  
MAX  
5.0  
UNITS  
μA  
I
I
I
, I  
, R =1.0kΩ  
DRM RRM  
DRM RRM GK  
V =6.0V, R =100Ω  
200  
2.0  
0.8  
1.5  
μA  
mA  
V
GT  
H
D
L
V =6.0V, R =1.0kΩ  
GK  
D
V
V =6.0V, R =100Ω  
GT  
TM  
D
L
V
I
=1.0A, tp=380μs  
V
TM  
R0 (11-December 2008)  
12

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