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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.12 |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2325AN | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 150V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN |
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| 2N2325AS | MICROSEMI |
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Thyristor Switches |
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| 2N2325LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-39, HE |
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| 2N2325N | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN |
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| 2N2325S | MICROSEMI |
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Thyristor Switches |
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| 2N2326 | DIGITRON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Inp |
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| 2N2326 | RAYTHEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1600mA I(T), 200V V(DRM), |
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| 2N2326 | MICROSEMI |
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SCRs 1.6 Amp, Planear |
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| 2N2326 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N2326 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS |
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