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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 5 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | CHOPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2007 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2008 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2009 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1300mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element |
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| 2N200W-03 | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N200W-03F | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N200W-03M | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N200W-06 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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