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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1 V | 最大维持电流： | 5 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 最大漏电流： | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流： | 15 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 1300 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 最大均方根通态电流： | 1.3 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2015 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2015 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,10A I(C),TO-36 |
|
| 2N2016 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36 |
|
| 2N2017 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO |
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| 2N2017 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N2017 | ONSEMI |
获取价格 |
60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
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| 2N2017 | CENTRAL |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
|
| 2N2017 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78 |
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| 2N2017LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
|
| 2N2018 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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数据手册解读：MB10S引脚说明、电气参数
2N7002K资料解读：产品特性和型号推荐
资料解读：TL494CN参数和引脚功能图说明
解读BAT54A数据手册：全面解析产品特性与应用
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