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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 重复峰值反向电压： | 25 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2023E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2023M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Elemen |
|
| 2N2023PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
|
| 2N2024 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2024 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2024 | ASI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 50V V(DRM) |
|
| 2N2024M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Elemen |
|
| 2N2024PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
|
| 2N2025 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
| 2N2025 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
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