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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 70 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 断态重复峰值电压： | 50 V | 重复峰值反向电压： | 50 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2024M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Elemen |
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| 2N2024PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
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| 2N2025 | MICROSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2025 | NJSEMI | 20 STERN ave. |
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| 2N2025 | ASI | Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 100V V(DRM) |
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| 2N2025E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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