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2N2020

更新时间： 2024-02-15 22:42:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	544K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 125V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| STR-10

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2N2020 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	MT-11
针数：	11	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	125 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2N2020 数据手册

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与2N2020相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2021	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2023	MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS	获取价格
2N2023	NJSEMI	20 STERN ave.	获取价格
2N2023	ASI	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 25V V(DRM)	获取价格
2N2023E3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN	获取价格
2N2023M	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Elemen	获取价格

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