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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大漏电流： | 6 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 1000 A | 最大通态电压： | 1.9 V |
| 最大通态电流： | 70000 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2027M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N2027PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| 2N2028 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2028 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2028E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2029 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2029 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
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| 2N2029E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| 2N2030 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
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