是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.83 | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 70 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | JEDEC-95代码: | TO-209AC |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 | 湿度敏感等级: | 1 |
通态非重复峰值电流: | 1000 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最大通态电流: | 70000 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 110 A |
断态重复峰值电压: | 25 V | 重复峰值反向电压: | 25 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2023PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
获取价格 |
|
2N2024 | NJSEMI | 20 STERN ave. |
获取价格 |
|
2N2024 | MICROSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
获取价格 |
|
2N2024 | ASI | Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 50V V(DRM) |
获取价格 |
|
2N2024M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Elemen |
获取价格 |
|
2N2024PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
获取价格 |