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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 110 A | 重复峰值反向电压： | 300 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2029E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| 2N2030 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
|
| 2N2030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2030 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 400V V(DRM) |
|
| 2N2030E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2030M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N2031 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 1 Element, TO-94, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2032 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-53 |
|
| 2N2033 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
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