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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2029E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2029PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| 2N2030 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2030 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2030 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 400V V(DRM) |
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| 2N2030E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2030M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N2031 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 1 Element, TO-94, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2032 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-53 |
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| 2N2033 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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