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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2027PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| 2N2028 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2028 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2028E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2029 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N2029 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2029E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 2N2029PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| 2N2030 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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| 2N2030 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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