5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-94, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 重复峰值反向电压： | 150 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2026PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| 2N2027 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
| 2N2027 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
| 2N2027 | ASI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 200V V(DRM) |
|
| 2N2027M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N2027PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| 2N2028 | NJSEMI |
获取价格 |
20 STERN ave. |
|
| 2N2028 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
| 2N2028E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
|
| 2N2029 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
