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2N2016

更新时间： 2024-02-15 11:15:13

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 65V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-36

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2N2016 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	0.012 MHz	Base Number Matches：	1

2N2016 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2017	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO
2N2017	ASI	获取价格	Transistor
2N2017	ONSEMI	获取价格	60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N2017	CENTRAL	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2N2017	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78
2N2017LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI
2N2018	NJSEMI	获取价格	NPN SWITCHING TRANSISTORS
2N2019	NJSEMI	获取价格	NPN SWITCHING TRANSISTORS
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2N2020	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 125V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| STR-10

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