是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.4 |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JEDEC-95代码: | TO-39 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2017LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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2N2018 | NJSEMI |
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NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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2N2019 | NJSEMI |
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NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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2N2019A | NJSEMI |
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暂无描述 |
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2N2020 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
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2N2021 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
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2N2023 | MICROSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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2N2023 | NJSEMI |
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20 STERN ave. |
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2N2023 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 25V V(DRM) |
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2N2023E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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