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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 15 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1300 A |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 1.3 A |
| 断态重复峰值电压： | 300 V | 重复峰值反向电压： | 300 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2014 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1300mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2015 | NJSEMI | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2015 | DIGITRON | TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,10A I(C),TO-36 |
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| 2N2016 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36 |
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| 2N2017 | MICRO-ELECTRONICS | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO |
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| 2N2017 | ASI | Transistor |
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