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2N2009

更新时间: 2024-01-16 00:43:54
品牌 Logo 应用领域
SSDI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1300mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N2009 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.74配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mA最大直流栅极触发电压:1 V
最大维持电流:5 mAJEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3最大漏电流:0.1 mA
通态非重复峰值电流:15 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:1300 A
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1.3 A断态重复峰值电压:25 V
重复峰值反向电压:25 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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