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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 6 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2002 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2003 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N2004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N2005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N2006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2007 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2008 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N2009 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1300mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element |
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| 2N200W-03 | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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| 2N200W-03F | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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