5秒后页面跳转
2N1850 PDF预览

2N1850

更新时间: 2024-11-30 20:03:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,500V V(DRM),10A I(T),TO-208AA

2N1850 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mA最大漏电流:1 mA
通态非重复峰值电流:125 A最大通态电流:10000 A
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:500 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N1850 数据手册

  

与2N1850相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N1850A NJSEMI

获取价格

SCR, V (DEM) = 500 V TO 599.9V
2N1850A STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,500V V(DRM),10A I(T),TO-208AA
2N1850A POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 500V V(DRM)
2N1850A DIGITRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 500; Max TMS Bridge Inp
2N1850B TI

获取价格

2N1850B
2N1853 ETC

获取价格

GERMANIUM PNP TRANSISTORS
2N1854 ETC

获取价格

GERMANIUM PNP TRANSISTORS
2N1867 CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-9
2N186A ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | CAN
2N187 ETC

获取价格

alloy-junction germanium transistors