5秒后页面跳转
2N1872E3 PDF预览

2N1872E3

更新时间: 2024-12-01 14:46:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-9, 3 PIN

2N1872E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.67
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大均方根通态电流:1.9625 A重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N1872E3 数据手册

  

与2N1872E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N1873 ETC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
2N1873A MICROSEMI

获取价格

SCRs 1.25 Amp, Planear
2N1873ASHR DIGITRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
2N1873AS-PBF DIGITRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
2N1873E3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-9, 3 PIN
2N1874 ETC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
2N1874A MICROSEMI

获取价格

SCRs 1.25 Amp, Planear
2N1874AE3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-9
2N1874AS DIGITRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
2N1874E3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-9, 3 PIN