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2N1872AE3

更新时间: 2024-09-25 14:46:15
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-9

2N1872AE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.67
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mAJEDEC-95代码:TO-9
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大均方根通态电流:1.9625 A断态重复峰值电压:100 V
重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

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