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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N188A | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N189 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
|
| 2N1890 | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1890 | NJSEMI |
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Diode TP-39 |
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| 2N1890 | CENTRAL |
获取价格 |
60V,200mA,800mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/ |
|
| 2N1890S | ETC |
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NPN Transistor |
|
| 2N1891 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1892 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1893 | NXP |
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NPN medium power transistor |
|
| 2N1893 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE HIGH-VOLTAGE TYPE |
|
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