2N1893

更新时间： 2024-11-30 22:35:51

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管双极型晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
NPN BIPOLAR TRANSISTOR

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2N1893 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N1893 数据手册

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02172

PH: (617) 926-0404

FAX: (617) 924-1235

2N1893

Features

120 Volts

0.5 Amps

· Meets MIL-S-19500/182

· Collector-Base Voltage 120

· Collector Current: 0.5 mA

· Fast Switching 30 nS

NPN

BIPOLAR

TRANSISTOR

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CER

V_CBO

V_EBO

I_C

100

120

7.0

0.5

0.8

4.57

3.0

17.2

-55 to

+200

-55 to

+200

219

Vdc

Adc

Collector Current - Continuous

Total Device Dissipation @ T_A= 25^oC

Derate above 25^oC

P_D

Watt

mW/^oC

Total Device Dissipation @ T_C= 25^oC

P_D

T_J

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

Operating Temperature Range

^oC

Storage Temperature Range

T_S

^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

^oC/W

R_qJA

Mechanical Outline

Datasheet# MSC0271A 5/19/97

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2N1893 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N1893S	MICROSEMI	完全替代	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N1893	MICROSEMI	类似代替	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

与2N1893相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N1893_02	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N1893_03	STMICROELECTRONICS	获取价格	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
2N1893A	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
2N1893D	ZETEX	获取价格	Transistor
2N1893LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
2N1893S	SEMICOA	获取价格	Type 2N1893S Geometry 4500 Polarity NPN
2N1893S	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N1893S_02	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N1893UB	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C1893 Geometry 4500 Polarity NPN
2N1893X	ETC	获取价格	NPN