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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 重复峰值反向电压： | 25 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1909M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Elemen |
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| 2N191 | ETC | alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1910 | POWEREX | Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
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| 2N1910 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifiers |
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| 2N1910 | NJSEMI | High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts |
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| 2N1910E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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