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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 110 A | 重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1911M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N1911W | NJSEMI |
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Thyristor SCR 100V 1.6KA 3-Pin TO-209AA |
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| 2N1912 | POWEREX |
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Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
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| 2N1912 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers |
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| 2N1912 | NJSEMI |
获取价格 |
High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts |
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| 2N1912E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 150V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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| 2N1912M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Elem |
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| 2N1913 | NJSEMI |
获取价格 |
High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts |
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| 2N1913 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers |
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| 2N1913 | POWEREX |
获取价格 |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
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