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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 130 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| JEDEC-95代码： | TO-94 | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流： | 5.5 mA | 通态非重复峰值电流： | 1000 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 70000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 断态重复峰值电压： | 250 V |
| 重复峰值反向电压： | 250 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1914E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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| 2N1915 | NJSEMI | High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts |
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| 2N1915 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifiers |
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| 2N1915 | POWEREX | Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
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| 2N1915E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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| 2N1915M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Elem |
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