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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 70 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | JEDEC-95代码： | TO-209AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 通态非重复峰值电流： | 1000 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 70000 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 110 A |
| 断态重复峰值电压： | 300 V | 重复峰值反向电压： | 300 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1915E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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| 2N1915M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Elem |
|
| 2N1916 | POWEREX |
获取价格 |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
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| 2N1916 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifiers |
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| 2N1916 | NJSEMI |
获取价格 |
High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts |
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| 2N1916E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AA, TO-94, 2 PIN |
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| 2N1916-KG | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 400V 1.6KA 3-Pin TO-209AA |
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| 2N1917 | NJSEMI |
获取价格 |
SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS |
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| 2N1918 | NJSEMI |
获取价格 |
SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS |
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| 2N1919 | NJSEMI |
获取价格 |
SWITCHING SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTORS |
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