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2N1850A

更新时间： 2024-01-20 12:08:37
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
5页 1288K
描述
Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 500; Max TMS Bridge Input Voltage: 10; Max DC Reverse Voltage: 6; Capacitance: 7; Package: TO-48

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2N1850A 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3.7 V
通态非重复峰值电流：125 A最大通态电流：10000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
断态重复峰值电压：500 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

2N1850A 数据手册

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2N1842-2N1850A  
TR1010-TR9010  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
FEATURES  
•
•
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
IT(RMS)  
IT(AV)  
Value  
16  
Unit  
A
RMS on-state current @ TC = 80°C  
Mean on-state current @ TC = 80°C  
10  
A
Non-repetitive surge peak on-state current @ TJ ≤ 125°C  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
ITSM  
157  
150  
A
I2t for fusing @ TJ ≤ 125°C, t = 10ms  
I2t  
112.5  
100  
A2s  
Critical rate of rise of on-state current  
di/dt  
A/µs  
Operating junction temperature range; non-“A”  
Operating junction temperature range; “A”  
-40 to +100  
-65 to +125  
TJ  
°C  
°C  
Storage temperature range; non-“A”  
Storage temperature range; “A”  
-40 to +125  
-65 to +125  
Tstg  
VOLTAGE RATINGS  
TJ = 125°C  
2N1842(A) 2N1843(A) 2N1844(A) 2N1845(A) 2N1846(A) 2N1847(A) 2N1848(A) 2N1849(A) 2N1850(A)  
VDRM = VRRM  
25  
50  
100  
150  
200  
250  
300  
400  
500  
VOLTAGE RATINGS  
TJ = 125°C  
VDRM = VRRM  
TR6010  
600  
TR7010  
700  
TR8010  
800  
TR9010  
900  
TR1010  
1000  
TR1110  
1100  
TR1210  
1200  
THERMAL RESISTANCE  
Thermal resistance  
Symbol  
Rth(j-c)  
Value  
2
Unit  
Junction to case for DC  
Case to heatsink  
°C/W  
°C/W  
Rth(c-h)  
0.4  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Value  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test conditions  
Min  
Typ  
Max  
80  
3
Gate trigger current  
IGT  
VGT  
VGD  
-
-
-
-
-
mA  
V
TJ = 25°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
VD = 12V  
VD = 12V  
VD = VDRM  
RL = 33Ω  
RL = 33Ω  
RL = 3.3Ω  
tp ≥ 20µs  
tp ≥ 20µs  
Gate trigger voltage  
Peak gate voltage  
0.25  
-
Gate  
open  
Holding current  
IH  
-
20  
-
mA  
TJ = 25°C  
IT = 0.5A  
Peak on-state voltage  
VTM  
IDRM  
IRRM  
-
-
-
-
-
-
2.2  
5
V
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
ITM = 30A  
tp = 10ms  
Maximum off-state current  
Maximum off-state current  
mA  
mA  
VDRM specified  
VRRM specified  
5
TJ = 25°C  
IG = 200mA  
IT = 30A  
diG/dt = 2A/µs  
Turn on time  
tgt  
-
2
-
µs  
VD = VDRM  
Rev. 20200923  
12345

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