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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-9 |
| 包装说明： | TO-9, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-9 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.06 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N186A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | CAN |
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| 2N187 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1870 | MICROSEMI |
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SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| 2N1870A | MICROSEMI |
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SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| 2N1870AS | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1870ASHR | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1870AS-PBF | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| 2N1870E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.9625A I(T)RMS, 30V V(RRM), 1 Element, TO-9, 3 PIN |
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| 2N1871 | MICROSEMI |
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SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| 2N1871A | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 1.25 Amp, Planear |
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