Datasheet > 2N1481

2N1481

更新时间： 2024-12-01 02:57:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N1481 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/207C
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N1481 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 207

Devices

Qualified Level

2N1479

2N1480

2N1481

2N1482

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N1479 2N1480

Symbol 2N1481 2N1482 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

1.5

1.0

Base-Current

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

I_B

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

TO-5*

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 50 mAdc

Vdc

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_EB= 1.5 Vdc, I_C= 0.25 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30 Vdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 12 Vdc

100

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

V_(BR)

CEX

5.0

mAdc

2N1479, 2N1481

2N1480, 2N1482

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2N1481相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N1481E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2N1481LEADFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
2N1482	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N1482	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
2N1482	NJSEMI	获取价格	NPN TO-39/TO-5
2N1482/S	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 55V 1.5A 3-Pin TO-39 Box
2N1482E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2N1483	NJSEMI	获取价格	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
2N1483	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
2N1483	ASI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P