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2N1488E3

更新时间： 2024-11-10 19:52:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin

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2N1488E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N1488E3 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 208

Devices

Qualified Level

2N1487

2N1488

2N1489

2N1490

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N1487 2N1488 Unit

2N1498 2N1490

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CEX

V_EBO

I_B

100

3.0

6.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= 25⁰C ⁽¹⁾

P_T

TO-33*

(TO-204AA)

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly @ 0.429 W/⁰C for T_C> 25⁰C

Symbol

Max.

2.33

Unit

⁰C/W

qJC

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100

I_C= 200 mAdc

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 0.5 mAdc, V_EB= 1.5 Vdc

100

2N1487, 2N1489

2N1488, 2N1490

V_(BR)

CEX

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 10 Vdc

I_CBO

I_EBO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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与2N1488E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N1489	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR
2N1489E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal,
2N1490	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR
2N1490	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, T
2N1491	ASI	获取价格	Transistor
2N1492	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-39
2N1493	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-39
2N1495	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-39
2N150	UTC	获取价格	N-CH
2N1500	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 12V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-9