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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-8 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-8 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1.2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1483A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| 2N1483E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2N1484 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1484 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1484A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| 2N1485 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1485 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1485A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| 2N1485E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2N1486 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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