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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.12 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-8 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1485 | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1485 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1485A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| 2N1485E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N1486 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 2N1486 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 2N1486A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| 2N1487 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
|
| 2N1487E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
|
| 2N1488 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
|
| 2N1488E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
|
| 2N1489 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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