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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-8, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-8 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1.2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1483E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor |
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| 2N1484 | NJSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1484 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1484A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| 2N1485 | MICROSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2N1485 | NJSEMI | NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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