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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.88 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.275 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1255 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1256 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1257 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1258 | ETC |
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Small Signal Transistors |
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| 2N1259 | ETC |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N1260 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-53 |
|
| 2N1261 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STR-8 |
|
| 2N1262 | SMSC |
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Power Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, PNP, Germanium, Metal, 3 Pin, MT-36, 3 PIN |
|
| 2N1263 | NJSEMI |
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GE PNP POWER BJT |
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| 2N1273 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
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