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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 95 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1263 | NJSEMI |
获取价格 |
GE PNP POWER BJT |
|
| 2N1273 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
|
| 2N1274 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
|
| 2N1275 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
|
| 2N1279 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1285 | NJSEMI |
获取价格 |
GE PNP LO-PWR BJT |
|
| 2N1291 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1292 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1293 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1294 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
|
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