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2N1295

更新时间: 2024-01-02 21:05:18
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 92K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3

2N1295 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):3 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-609代码:e0
最高工作温度:85 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N1295 数据手册

  
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