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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 95 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1262 | SMSC | Power Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, PNP, Germanium, Metal, 3 Pin, MT-36, 3 PIN |
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| 2N1263 | NJSEMI | GE PNP POWER BJT |
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| 2N1273 | ETC | alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1274 | ETC | alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1275 | NJSEMI | SI PNP LO-PWR BJT |
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| 2N1279 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-5 |
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