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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1131 | MICROSEMI |
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LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1131 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1131A | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1131A | NJSEMI |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1131E3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| 2N1131J | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1131L | MICROSEMI |
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LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1131L | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| 2N1131LE3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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| 2N1132 | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR |
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