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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 45 | JESD-609代码： | e0 |
| 极性/信道类型： | PNP | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1131L | MICROSEMI |
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LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1131L | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| 2N1131LE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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| 2N1132 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| 2N1132 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
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| 2N1132 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1132 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1132A | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N1132A | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N1132B | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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