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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.43 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 120 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3850 | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK3851 | ALLEGRO |
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Power Field-Effect Transistor, MT-100, TO-3P, 3 PIN |
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| 2SK3856 | SANYO |
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2SK3856 |
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| 2SK3856-5 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,15V V(BR)DSS,30MA I(D),SOT-23 |
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| 2SK3856-6 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,15V V(BR)DSS,30MA I(D),SOT-23 |
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| 2SK3857MFV | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK3857MFV-A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.37 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1L1C, 3 PIN, FET General Purpose |
|
| 2SK3857MFV-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.37 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1L1C, 3 PIN, FET General Purpose |
|
| 2SK3857TK | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type For ECM |
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| 2SK3857TK-A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.37 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
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