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2SK3868

更新时间： 2024-09-24 07:32:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
Switching Regulator Applications

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2SK3868 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：1.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3868 数据手册

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2SK3868  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (p-MOSVI)  
2SK3868  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 3S (typ.)  
= 1.3Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
DSS  
= 100 μA (V  
= 500 V)  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
V
V
500  
500  
±30  
5
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R = 20 kW)  
GS  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
20  
35  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
2: Drain  
3: Source  
P
W
D
Single pulse avalanche energy  
E
AS  
180  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
5
3.5  
A
AR  
JEDEC  
JEITA  
?
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.57  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C(initial), L = 12.2 mH, I = 5 A, R = 25 W  
1
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
2004-07-01  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3868(Q,M) TOSHIBA

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