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2SD874

更新时间: 2024-02-04 23:22:23
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金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 309K
描述
TRANSISTOR (NPN)

2SD874 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz

2SD874 数据手册

  
2SD874  
TRANSISTOR (NPN)  
SOT-89-3L  
FEATURES  
z
z
z
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Large Collector Power Dissipation  
Mini Power Type Package  
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
Unit  
V
30  
25  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5
V
Collector Current  
1
A
PC  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
500  
250  
150  
-55~+150  
mW  
/W  
RθJA  
Tj  
Tstg  
Storage Temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
Min  
30  
25  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC=10µA,IE=0  
IC=2mA,IB=0  
V
IE=10µA,IC=0  
V
VCB=20V,IE=0  
0.1  
0.1  
340  
µA  
µA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB=4V,IC=0  
hFE(1)  
VCE=10V, IC=500mA  
VCE=5V, IC=1A  
85  
50  
DC current gain  
hFE(2)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IC=500mA,IB=50mA  
IC=500mA,IB=50mA  
VCE=10V,IC=50mA, f=200MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
0.4  
1.2  
V
V
200  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
CLASSIFICATION OF hFE  
1
RANK  
RANGE  
Q
R
S
85170  
120240  
170340  
MARKING  
ZQ  
ZR  
ZS  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  

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