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2SD874

更新时间： 2024-09-23 07:31:55

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD874 数据手册

2SD874

TRANSISTOR (NPN)

SOT-89-3L

FEATURES

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

Large Collector Power Dissipation

Mini Power Type Package

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

250

150

-55~+150

℃/W

℃

R_θJA

T_j

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=10µA,I_E=0

I_C=2mA,I_B=0

I_E=10µA,I_C=0

V_CB=20V,I_E=0

0.1

340

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V,I_C=0

h_FE(1)

V_CE=10V, I_C=500mA

V_CE=5V, I_C=1A

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

I_C=500mA,I_B=50mA

VCE=10V,IC=50mA, f=200MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

0.4

1.2

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

（

）

RANK

RANGE

85–170

120–240

170–340

MARKING

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

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