Datasheet > 2SA1981S

2SA1981S

更新时间： 2024-02-11 05:57:32

品牌	Logo	应用领域
韩国光电子 - AUK		晶体放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
3页	86K
描述
PNP Silicon Transistor (Audio power amplifier application)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1981S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Base Number Matches：	1

2SA1981S 数据手册

2SA1981S

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-35

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-30

-5

-800

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

I_C=-500µA, I_E=0

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

-35

-30

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-35V, I_E=0

-0.1

320

-0.5

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

DC current gain

V_CE=-1V, I_C=-100mA

I_C=-500mA, I_B=-20mA

V_CE=-5V, I_E=10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

100

h_FE

Collector-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

120

MHz

Collector output capacitance

* : h_FErank / O : 100~200, Y : 160~320

Cob

KST-2005-001

123

下载PDF

与2SA1981S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1981SF	AUK	PNP Silicon Transistor (Audio power amplifier application)	获取价格
2SA1981SF	KODENSHI	Audio power amplifier application	获取价格
2SA1981SF	KEXIN	PNP Silicon Transistor	获取价格
2SA1981SF	TYSEMI	High Hfe:.hFE=100 to 320 Collector-base voltage VCBO -35 V	获取价格
2SA1981SF_15	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SA1981SFO	KODENSHI	暂无描述	获取价格