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2N7002

更新时间： 2024-01-02 22:40:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
33页	3507K
描述
TAS5612L-TAS5614LDDVEVM

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2N7002 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002 数据手册

【Important Notice for Users of this Product in Japan】

This development kit is NOT certified as Confirming to Technical Regulations of Radio Law of Japan

If you use this product in Japan, you are required by Radio Law of Japan to follow the instructions below with respect to this product:

1. Use this product in a shielded room or any other test facility as defined in the notification #173 issued by Ministry of Internal Affairs and

Communications on March 28, 2006, based on Sub-section 1.1 of Article 6 of the Ministry’s Rule for Enforcement of Radio Law of

Japan,

2. Use this product only after you obtained the license of Test Radio Station as provided in Radio Law of Japan with respect to this

product, or

3. Use of this product only after you obtained the Technical Regulations Conformity Certification as provided in Radio Law of Japan with

respect to this product. Also, please do not transfer this product, unless you give the same notice above to the transferee. Please note

that if you could not follow the instructions above, you will be subject to penalties of Radio Law of Japan.

Texas Instruments Japan Limited

(address) 24-1, Nishi-Shinjuku 6 chome, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan

http://www.tij.co.jp

【ご使用にあたっての注】

本開発キットは技術基準適合証明を受けておりません。

本製品のご使用に際しては、電波法遵守のため、以下のいずれかの措置を取っていただく必要がありますのでご注意ください。

1. 電波法施行規則第6条第1項第1号に基づく平成18年3月28日総務省告示第173号で定められた電波暗室等の試験設備でご使用いただく。

2. 実験局の免許を取得後ご使用いただく。

3. 技術基準適合証明を取得後ご使用いただく。

なお、本製品は、上記の「ご使用にあたっての注意」を譲渡先、移転先に通知しない限り、譲渡、移転できないものとします。

ꢀꢀꢀ上記を遵守頂けない場合は、電波法の罰則が適用される可能性があることをご留意ください。

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

東京都新宿区西新宿６丁目２４番１号

西新宿三井ビル

http://www.tij.co.jp

SPACER

1...28 29 303132 33

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与2N7002相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7002,215	NXP	获取价格	2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
2N7002/D87Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/E8	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002/L99Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/S62Z	TI	获取价格	115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3,
2N7002_	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_04	SUPERTEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_07	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002_07	PANJIT	获取价格	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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