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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.32 |
| 最长访问时间： | 45 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 36.322 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 12.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.05 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.161 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 27HC64-45M/XX | MICROCHIP |
获取价格 |
IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
|
| 27HC64-55/J | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27HC64-55/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 55 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 |
|
| 27HC64-55/KB | VISHAY |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32 |
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| 27HC64-55/L | VISHAY |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC32 |
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| 27HC64-55/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 55 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| 27HC64-55/P | VISHAY |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28 |
|
| 27HC64-55/P | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 55 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| 27HC64-55B/UX | MICROCHIP |
获取价格 |
IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC |
|
| 27HC64-55I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 55 ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
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