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27HC64-55I/K

更新时间： 2024-10-30 21:04:39

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	246K
描述
8K X 8 UVPROM, 55 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

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27HC64-55I/K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	WQCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER, WINDOW	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.302 mm	最大待机电流：	0.05 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.171 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
27HC64-55I/KA	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32
27HC64-55I/L	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 OTPROM, 55 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
27HC64-55I/L	VISHAY	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC32
27HC64-55I/P	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 OTPROM, 55 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
27HC64-55M	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28
27HC64-55M/UX	MICROCHIP	获取价格	IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC
27HC64-55M/XX	MICROCHIP	获取价格	IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
27HC64-55MR/D	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28
27HC64-70/J	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28
27HC64-70/J	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 UVPROM, 70 ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28